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强大的产品研发能力和创新能力

高稳低相噪恒温晶体振荡器JH-HSXO50系列

产品特点
技术指标
战术指标
配件信息

l  双层精密恒温

l  频率稳定度高 10-9 ~10-10

l  低相位噪声(10MHz)

l  标准封装结构

l 广泛适用于军民用通信、电子等领域


                                                                              表1

性能指标

符号

最小

典型参数

最大

单位

条件/备注

频率范围

F

10

10

200

MHz


工作温度

Ta

见表2

℃


存储温度

Ts

-55


+85

℃


频率精度


±0.2

±0.5

±1

ppm

+25℃±2℃

频率温度稳定度


见表2



时域稳定度

见表4

@1S

10MHz

见表4

@10S

老化


±0.01

±0.5

±1

ppm/year


输出波形


H:CMOS; S:Sine Wave



输出电平


+5

+10

+13

dBm/50W

Sine Wave





CMOS

电源电压

Vdd

G:12±5%;H:5±5%

V

*可定制

工作电流

IMAX

350

400

450

mA

Vdd =12V

I稳定

200

250

300


                                                                              表2

温度范围

频率温度稳定度(ppm)

S(±0.005)

A (±0.01)

B (±0.05)

C (±0.1)

D (±0.5)

A 0℃~+50℃

√

√

√

√

√

B -10℃~+60℃

√

√

√

√

√

C -20℃~+70℃

√

√

√

√

√

D -40℃~+85℃



√

√

√

E -55℃~+85℃



*定制

√

√

F -40℃~+70℃


√

√

√

√


                                                                              表3

偏离载频

相位噪声(dBc/Hz)|0=10MHz

A

B

C

D

U

F

1Hz

-90

-95

-100

-110

-115


10Hz

-120

-123

-125

-135

-140

*定制

100Hz

-145

-150

-152

-155

-158

1kHz

-155

-158

-160

-165

-168

10kHz

-162

-165

-165

-172

-172

100kHz

-165

-165

-170

-173

-175


                                                                              表4

时域稳定度

相位噪声(dBc/Hz)|0=10MHz

A


B


C

F

@1S

5×10-12


3×10-12


1×10-12


@10S

1×10-11


6×10-12


4×10-12

*定制

@100S



1×10-11


6×10-12



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