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强大的产品研发能力和创新能力

高稳低相噪恒温晶体振荡器JH-HSXO25系列

产品特点
技术指标
战术指标
配件信息

l  小体积

l  频率稳定度高  10-7 ~10-9 (10MHz)

l  低相位噪声(10MHz)                  

l  标准封装结构

l  广泛适用于军民用通信、电子等领域

                                                                           表1

性能指标

符号

最小

典型参数

最大

单位

条件/备注

频率范围

F

10

100

200

MHz


工作温度

Ta

见表2

℃


存储温度

Ts

-55


+85

℃


频率精度


±0.2

±0.5

±1

ppm

+25℃±2℃

频率温度稳定度

见表2



时域稳定度

见表4

@1S


见表4

@10S


老化


±0.05

±0.5

±1

ppm/year


输出波形


H:TTL/HCMOS

S:Sine Wave



输出电平


+5

+10

+13

dBm/50W

Sine Wave





TTL/HCMOS

电源电压

Vdd

G:12±5%

H:5±5%

V

*可定制

工作电流

IMAX

300

400

450

mA

Vdd=12V

I稳定

100

150

180


                                                                           表2

温度范围

频率温度稳定度(ppm)

A (±0.01)

B (±0.05)

C (±0.1)

D (±0.5)

A    0℃~+50℃

√

√

√

√

B  -10℃~+60℃

√

√

√

√

C  -20℃~+70℃


√

√

√

D  -40℃~+85℃



√

√

E  -55℃~+85℃


*定制

√

√

F  -40℃~+70℃


√

√

√


                                                                           表3

偏离载频

相位噪声(dBc/Hz)|0=10MHz

A

B

C

D

E

F

1Hz

-90

-95

-100

-110

-115


10Hz

-120

-123

-125

-135

-140

*定制

100Hz

-145

-150

-152

-155

-158

1kHz

-155

-158

-160

-165

-168

10kHz

-162

-165

-165

-172

-172

100kHz

-165

-165

-170

-173

-175

100kHz

-160

-162

-165

-166

-168


                                                                           表4

时域稳定度

相位噪声(dBc/Hz)|0=10MHz

A


B


C

F

@1S

5×10-12


3×10-12


1×10-12


@10S

1×10-11


6×10-12


4×10-12

*定制


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